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FET，MOSFET - 單個
SI1065X-T1-E3參考圖片

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SI1065X-T1-E3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態
停產
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
12V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
-
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
156 毫歐 @ 1.18A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
950mV @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
10.8nC @ 5V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
480pF @ 6V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
236mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SC-89-6
封裝/外殼
SOT-563，SOT-666
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 55A TO252
暫無價格
參考庫存:48148
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 25V-30V V-DFN3333-
暫無價格
參考庫存:48156
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020
暫無價格
參考庫存:93686
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 40A TO-263
暫無價格
參考庫存:48166
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
暫無價格
參考庫存:48182
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