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FET，MOSFET - 單個

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IXTM11N80

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
GigaMOS?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
950 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
170nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4500pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-204AA
封裝/外殼
TO-204AA，TO-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
暫無價格
參考庫存:9956
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
暫無價格
參考庫存:8896
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220
暫無價格
參考庫存:9946
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:5897
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 120A TO220AB
暫無價格
參考庫存:6351
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