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FET,MOSFET - 單個
IXFB70N60Q2參考圖片

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IXFB70N60Q2

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
70A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
88 毫歐 @ 35A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 8mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
265nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
12000pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
890W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PLUS264?
封裝/外殼
TO-264-3,TO-264AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
RQ5E050AT IS A SMALL SIGNAL MOSF
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參考庫存:16360
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2.5V DRIVE NCH MOSFET
暫無價格
參考庫存:16368
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