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FET，MOSFET - 單個
EPC2012參考圖片

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EPC2012

  • EPC
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  • GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
eGaN?
零件狀態
Digi-Key 停產
FET 類型
N 通道
技術
GaNFET（氮化鎵）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
3A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
100 毫歐 @ 3A，5V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
1.8nC @ 5V
Vgs（最大值）
+6V，-5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
145pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
-
工作溫度
-40°C ~ 125°C （TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
模具
封裝/外殼
模具
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
IXFA36N55X2
暫無價格
參考庫存:15712
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
暫無價格
參考庫存:13339
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 47A TO-264
暫無價格
參考庫存:41944
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P
暫無價格
參考庫存:41952
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 9A TO-247
暫無價格
參考庫存:41960
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