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FET,MOSFET - 單個
IXTQ200N085T參考圖片

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IXTQ200N085T

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 85V 200A TO-3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
TrenchMV?
零件狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
85V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
200A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
5 毫歐 @ 25A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
152nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
7600pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
480W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3P
封裝/外殼
TO-3P-3,SC-65-3
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IXTQ200N085T的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
HIGH POWER_NEW
暫無價格
參考庫存:50243
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:50251
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 8A TO-220
暫無價格
參考庫存:50259
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 110A TO220
暫無價格
參考庫存:50267
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 9A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:50275
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