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FET,MOSFET - 單個
IXFT4N100Q參考圖片

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IXFT4N100Q

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 1000V 4A TO-268
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
1000V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
4A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
3 歐姆 @ 2A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 1.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
39nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1050pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-268
封裝/外殼
TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
商品其它信息
優勢價格,IXFT4N100Q的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 15A TO-3PF
暫無價格
參考庫存:64504
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 22A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:64512
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 6A TO-220
暫無價格
參考庫存:64520
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 4.5A TO-220F
暫無價格
參考庫存:64528
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 72A TO-3P
暫無價格
參考庫存:64536
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