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FET,MOSFET - 單個
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IPD85P04P4L06ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級,AEC-Q101,OptiMOS?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
85A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
6.4 毫歐 @ 85A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 150μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
104nC @ 10V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
6580pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
88W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO252-3-313
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 12A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:6083
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 11.5A D2PAK
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參考庫存:13102
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220
暫無價格
參考庫存:7504
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 13.5A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:7346
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 14A TO-220FP
暫無價格
參考庫存:4638
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