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FET，MOSFET - 單個
IXTA1R4N120P-TRL參考圖片

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IXTA1R4N120P-TRL

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
1.4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
13 歐姆 @ 700mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
24.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
666pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
86W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263（IXTA）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
暫無價格
參考庫存:3762
FET，MOSFET - 單個
N-CHANNEL 650 V, 0.035 OHM TYP.,
暫無價格
參考庫存:2019
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 5.4A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:2011
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 1.35A 3DFN
暫無價格
參考庫存:401568
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
暫無價格
參考庫存:3860
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