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FET,MOSFET - 單個
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IPB80P04P4L08ATMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級,AEC-Q101,OptiMOS?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
40V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
80A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
7.9 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 120μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
92nC @ 10V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
5430pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
75W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TO263-3-2
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
N-CHANNEL MOSFET, DFN5060 PACKAG
暫無價格
參考庫存:152126
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PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
暫無價格
參考庫存:152138
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GENERAL-PURPOSE N-CHANNEL MOSFET
暫無價格
參考庫存:17142
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