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FET，MOSFET - 單個
IRFTS9342TRPBF參考圖片

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IRFTS9342TRPBF

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
HEXFET?
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
5.8A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
40 毫歐 @ 5.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.4V @ 25μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
12nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
595pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-TSOP
封裝/外殼
SOT-23-6
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:28229
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 64A DPAK
暫無價格
參考庫存:28237
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10.3A I2PAK
暫無價格
參考庫存:28245
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 30A DPAK
暫無價格
參考庫存:28253
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28261
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