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FET,MOSFET - 單個
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IPB60R280P6ATMA1

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數(shù)據(jù)手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
標準卷帶
系列
CoolMOS? P6
零件狀態(tài)
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
13.8A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
280 毫歐 @ 5.2A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 430μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
25.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
1190pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
104W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK(TO-263AB)
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IPB60R280P6ATMA1的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 11A TO-220
暫無價格
參考庫存:25673
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 45A DPAK
暫無價格
參考庫存:25681
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT223
暫無價格
參考庫存:25689
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
暫無價格
參考庫存:25697
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252
暫無價格
參考庫存:25705
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