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參數 | 參數值 |
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包裝
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標準卷帶
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系列
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汽車級,AEC-Q101
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零件狀態
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有源
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FET 類型
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N 通道
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技術
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SiCFET(碳化硅)
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漏源電壓(Vdss)
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1200V
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電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
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33A(Tc)
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驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
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18V
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不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
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105毫歐 @ 20A,18V
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不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
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5V @ 1mA
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不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
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63nC @ 18V
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Vgs(最大值)
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+22V,-10V
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不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
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1230pF @ 800V
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FET 功能
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-
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功率耗散(最大值)
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250W(Tc)
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工作溫度
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-55°C ~ 175°C(TJ)
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安裝類型
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表面貼裝型
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供應商器件封裝
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H2PAK-7
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封裝/外殼
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TO-263-8,D2Pak(7 引線+接片),TO-263CA
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圖片 | 型號 | 制造商 | 分類 | 數據手冊 | 描述 | 參考價格 | 庫存數量 |
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CHANNEL 700V 5A TO251
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暫無價格
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參考庫存:30189
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 200V 22A DPAK
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暫無價格
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參考庫存:30197
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 60V 45A TO-263AB
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暫無價格
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參考庫存:30205
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 850V 6.7A TO-220FP
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暫無價格
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參考庫存:30213
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FET,MOSFET - 單個
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MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F
|
暫無價格
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參考庫存:30221
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