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FET，MOSFET - 單個
NVMYS4D1N06CLTWG參考圖片

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NVMYS4D1N06CLTWG

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
22A（Ta），100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4 毫歐 @ 50A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 80μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
34nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2200pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.7W（Ta），79W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LFPAK4（5x6）
封裝/外殼
SOT-1023，4-LFPAK
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
暫無價格
參考庫存:29747
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 5A DPAK
暫無價格
參考庫存:29755
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 620V 6A TO220FP
暫無價格
參考庫存:29763
FET，MOSFET - 單個
TRANS SJT 1.2KV 10A
暫無價格
參考庫存:29779
FET，MOSFET - 單個
TRANS SJT 1200V 3A TO-247AB
暫無價格
參考庫存:29787
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