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FET，MOSFET - 單個
STI11NM80參考圖片

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STI11NM80

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
MDmesh?
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
400 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
43.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1630pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
-65°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAK（TO-262）
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
RQ6E045SN IS THE LOW ON - RESIST
暫無價格
參考庫存:32067
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251
暫無價格
參考庫存:41430
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 26A D2PAK
暫無價格
參考庫存:19666
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
暫無價格
參考庫存:32123
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 800V 6A TO252-3
暫無價格
參考庫存:20250
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