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FET，MOSFET - 單個
STH185N10F3-6參考圖片

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STH185N10F3-6

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
汽車級，AEC-Q101，STripFET? F3
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
180A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.5 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
114.6nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
6665pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
315W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
H2PAK-6
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
-40V4.2MOHMSINGLE
暫無價格
參考庫存:52495
FET，MOSFET - 單個
TRENCH 6 40V SL NFET
暫無價格
參考庫存:52503
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 47A SO8FL
暫無價格
參考庫存:52511
FET，MOSFET - 單個
AFSM T6 40V SG NCH
暫無價格
參考庫存:52519
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12A SO8FL
暫無價格
參考庫存:52527
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