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FET，MOSFET - 單個

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SIR638DP-T1-RE3

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET? Gen IV
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
0.88 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
204nC @ 10V
Vgs（最大值）
+20V，-16V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
10500pF @ 20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
104W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
暫無價格
參考庫存:41782
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 56A TO-247
暫無價格
參考庫存:41790
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 9A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:13870
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 22A I5-PAK
暫無價格
參考庫存:41808
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 34.6A TO-247
暫無價格
參考庫存:12248
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