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FET，MOSFET - 單個

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DMN10H170SFGQ-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI33
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q101
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.9A（Ta），8.5A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
122 毫歐 @ 3.3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
14.9nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
870.7pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
940mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerDI3333-8
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
SUPERFET3 650V D2PAK PKG
暫無價格
參考庫存:12458
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 120A TO-262
暫無價格
參考庫存:6090
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 200A POWERPAK8
暫無價格
參考庫存:46407
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:15573
FET，MOSFET - 單個
SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
暫無價格
參考庫存:28496
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