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FET，MOSFET - 單個
SUD35N10-26P-T4GE3參考圖片

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SUD35N10-26P-T4GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 100V 35A TO252
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
TrenchFET?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
35A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
7V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
26 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
47nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2000pF @ 12V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
8.3W（Ta），83W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252，（D-Pak）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
優勢價格，SUD35N10-26P-T4GE3的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET - POWER, SINGLE N-CHANNEL
暫無價格
參考庫存:53757
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 20A SO8FL
暫無價格
參考庫存:53775
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 235A 5DFN
暫無價格
參考庫存:53783
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6TSOP
暫無價格
參考庫存:53809
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 40V 120A TO220
暫無價格
參考庫存:53817
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