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FET，MOSFET - 單個
SIHF530-GE3參考圖片

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SIHF530-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CHANNEL 100V
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
14A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
160 毫歐 @ 8.4A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
26nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
670pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
88W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:49153
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
暫無價格
參考庫存:49209
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:49217
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:49249
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
暫無價格
參考庫存:49273
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