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FET，MOSFET - 單個
SIHU6N65E-GE3參考圖片

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SIHU6N65E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
600 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
48nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
820pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
78W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
IPAK（TO-251）
封裝/外殼
TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220
暫無價格
參考庫存:19370
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK
暫無價格
參考庫存:35608
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247
暫無價格
參考庫存:23588
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
暫無價格
參考庫存:35618
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
暫無價格
參考庫存:35626
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