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FET,MOSFET - 單個
SIHU6N65E-GE3參考圖片

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SIHU6N65E-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
管件
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
7A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
600 毫歐 @ 3A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
48nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
820pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
78W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
IPAK(TO-251)
封裝/外殼
TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB
商品其它信息
優(yōu)勢價格,SIHU6N65E-GE3的國內現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
暫無價格
參考庫存:26608
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 80A TO220-3
暫無價格
參考庫存:10517
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 28A 8TDSON
暫無價格
參考庫存:26634
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 200V 7.3A D2PAK
暫無價格
參考庫存:14408
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
暫無價格
參考庫存:26644
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