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FET,MOSFET - 單個
APT30M19JVR參考圖片

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APT30M19JVR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
POWER MOS V?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
300V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
130A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
19 毫歐 @ 500mA,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
975nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
21600pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
700W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
ISOTOP?
封裝/外殼
SOT-227-4,miniBLOC
商品其它信息
優勢價格,APT30M19JVR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 16A TO3PN
暫無價格
參考庫存:35827
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223
暫無價格
參考庫存:35859
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 45A TO263-3-2
暫無價格
參考庫存:35867
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
暫無價格
參考庫存:35907
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 550V TO220-3
暫無價格
參考庫存:35931
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