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FET，MOSFET - 單個
AOT11S65L參考圖片

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AOT11S65L

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
aMOS?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
399 毫歐 @ 5.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
13.2nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
646pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
198W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
優勢價格，AOT11S65L的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263
暫無價格
參考庫存:57670
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
暫無價格
參考庫存:57678
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 24V 70A POWERDI3333
暫無價格
參考庫存:57686
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
暫無價格
參考庫存:28250
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 70A TO-247AC
暫無價格
參考庫存:57738
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