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FET，MOSFET - 單個
DMN30H4D1S-7參考圖片

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DMN30H4D1S-7

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
300V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
430mA（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4 歐姆 @ 300mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
3V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
4.8nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
174pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
SOT-23
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3PML
暫無價格
參考庫存:31457
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 8.2A UDFN
暫無價格
參考庫存:31465
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V IPAK
暫無價格
參考庫存:31481
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK
暫無價格
參考庫存:31497
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 10A IPAK
暫無價格
參考庫存:31505
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