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FET，MOSFET - 單個

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APTM100DA18TG

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
43A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
210 毫歐 @ 21.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
372nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
10400pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
780W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
供應商器件封裝
SP4
封裝/外殼
SP4
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
暫無價格
參考庫存:55907
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:55915
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
暫無價格
參考庫存:55923
EPC
FET，MOSFET - 單個
GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
暫無價格
參考庫存:55931
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK
暫無價格
參考庫存:55963
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