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FET，MOSFET - 單個
RDD022N60TL參考圖片

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RDD022N60TL

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
6.7 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.7V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
175pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
20W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
CPT3
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:40409
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 34A TO220AB
暫無價格
參考庫存:40417
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:40425
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET
暫無價格
參考庫存:40433
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6
暫無價格
參考庫存:40441
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