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FET，MOSFET - 單個
R6011END3TL1參考圖片

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R6011END3TL1

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • NCH 600V 11A POWER MOSFET. POWE
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
390 毫歐 @ 3.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
32nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
670pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
124W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH
暫無價格
參考庫存:42173
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42181
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:42189
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 6.1A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42197
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
暫無價格
參考庫存:42205
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