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FET，MOSFET - 單個
TPH1110ENH,L1Q參考圖片

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TPH1110ENH,L1Q

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
U-MOSVIII-H
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7.2A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
114 毫歐 @ 3.6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 200μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
600pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.6W（Ta），42W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOP Advance（5x5）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:29987
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
暫無價格
參考庫存:30019
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11.8A UDFN2020-6
暫無價格
參考庫存:30067
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
暫無價格
參考庫存:30660
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 9A SC-75-6
暫無價格
參考庫存:30115
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