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FET，MOSFET - 單個

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TK160F10N1,LXGQ

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
U-MOSVIII-H
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
160A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.4 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
121nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
8510pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作溫度
175°C
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-220SM（W）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT-223
暫無價格
參考庫存:31735
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 28A SC-70-6L
暫無價格
參考庫存:31743
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
暫無價格
參考庫存:31751
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 3A MP3A
暫無價格
參考庫存:31759
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
暫無價格
參考庫存:31767
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