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FET,MOSFET - 單個
IXTA1R6N100D2HV參考圖片

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IXTA1R6N100D2HV

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
1000V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
1.6A(Tj)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
10 歐姆 @ 800mA,0V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
27nC @ 5V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
645pF @ 10V
FET 功能
耗盡模式
功率耗散(最大值)
100W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263HV
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
暫無價格
參考庫存:46045
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
暫無價格
參考庫存:46053
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
暫無價格
參考庫存:46069
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:46077
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 61A TO-262
暫無價格
參考庫存:46085
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