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FET，MOSFET - 單個
IXFH7N100P參考圖片

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IXFH7N100P

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH
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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?，Polar?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
7A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.9 歐姆 @ 3.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
6V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
47nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2590pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
暫無價格
參考庫存:28591
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 36A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28599
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1
暫無價格
參考庫存:28607
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 50A TO263-3
暫無價格
參考庫存:28623
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
暫無價格
參考庫存:28639
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