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FET，MOSFET - 單個
PSMN1R1-30PL,127參考圖片

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PSMN1R1-30PL,127

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
120A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.3 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.2V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
243nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
14850pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
338W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220AB
封裝/外殼
TO-220-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8-PQFN
暫無價格
參考庫存:302144
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
暫無價格
參考庫存:4907
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
暫無價格
參考庫存:5054
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
暫無價格
參考庫存:17156
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
暫無價格
參考庫存:14658
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