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FET，MOSFET - 單個
IXFQ12N80P參考圖片

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IXFQ12N80P

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?，PolarHT?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
850 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5.5V @ 2.5mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
51nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2800pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
360W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-3P
封裝/外殼
TO-3P-3，SC-65-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 210A D2PAK
暫無價格
參考庫存:31685
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 7.1A TSOP-6
暫無價格
參考庫存:31709
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH TO220-3
暫無價格
參考庫存:31717
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 11A DIRECTFET-S1
暫無價格
參考庫存:31725
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:31733
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