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FET，MOSFET - 單個
IXTA2R4N120P-TRL參考圖片

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IXTA2R4N120P-TRL

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.4A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
7.5 歐姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
37nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1207pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263（IXTA）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:58294
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R
暫無價格
參考庫存:188832
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 T&
暫無價格
參考庫存:208834
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
暫無價格
參考庫存:58314
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
暫無價格
參考庫存:43844
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