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FET,MOSFET - 單個
IXTY1R4N120P參考圖片

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IXTY1R4N120P

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
1200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
1.4A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
-
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
4.5V @ 100μA
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
-
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252,(D-Pak)
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
優勢價格,IXTY1R4N120P的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB
暫無價格
參考庫存:58294
FET,MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 31V-40V TO252 T&R
暫無價格
參考庫存:188832
FET,MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 101V-250V SOT23 T&
暫無價格
參考庫存:208834
FET,MOSFET - 單個
MOSFET NCH 30V 14.1A UDFN2020
暫無價格
參考庫存:58314
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
暫無價格
參考庫存:43844
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