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FET，MOSFET - 單個
IXFT30N50P參考圖片

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IXFT30N50P

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
HiPerFET?，PolarHT?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
200 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 4mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
70nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
4150pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
460W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-268
封裝/外殼
TO-268-3，D3Pak（2 引線 + 接片），TO-268AA
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET
暫無價格
參考庫存:48444
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V ES6
暫無價格
參考庫存:48468
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS
暫無價格
參考庫存:48484
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 1A WEMT6
暫無價格
參考庫存:48492
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 4A TO251A
暫無價格
參考庫存:48500
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