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FET，MOSFET - 單個
IXTP12N65X2M參考圖片

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IXTP12N65X2M

  • IXYS
  • 最新
  • MOSFET N-CH TO-220
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
300 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
17.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1100pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
40W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220 隔離的標片
封裝/外殼
TO-220-3 全封裝，隔離接片
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
暫無價格
參考庫存:46244
FET，MOSFET - 單個
MOSFET NCH 100V 52.5A TO252
暫無價格
參考庫存:414274
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 52A SO8FL
暫無價格
參考庫存:46254
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI506
暫無價格
參考庫存:14284
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
暫無價格
參考庫存:31786
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