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FET,MOSFET - 單個
RCJ081N20TL參考圖片

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RCJ081N20TL

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
8A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
770 毫歐 @ 4A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5.25V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
8.5nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
330pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.56W(Ta),40W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
LPTS
封裝/外殼
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
暫無價格
參考庫存:11250
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 2.1A SOT223
暫無價格
參考庫存:13752
FET,MOSFET - 單個
MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2
暫無價格
參考庫存:13754
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
暫無價格
參考庫存:5256
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 8A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:13758
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