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FET，MOSFET - 單個

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IPAN60R210PFD7SXKSA1

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參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
CoolMOS?PFD7
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
210 毫歐 @ 4.9A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 240μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
23nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1015pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
25W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO220 整包
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
優(yōu)勢價格，IPAN60R210PFD7SXKSA1的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
暫無價格
參考庫存:41117
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
暫無價格
參考庫存:41125
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 20A DPAK
暫無價格
參考庫存:41133
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
暫無價格
參考庫存:41141
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8
暫無價格
參考庫存:41149
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