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FET,MOSFET - 單個
BSM180C12P2E202參考圖片

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BSM180C12P2E202

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術(shù)
SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss)
1200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
204A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
-
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
-
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 35.2mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
4V @ 35.2mA
Vgs(最大值)
+22V,-6V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
20000pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1360W(Tc)
工作溫度
175°C(TJ)
安裝類型
底座安裝
供應(yīng)商器件封裝
模塊
封裝/外殼
模塊
商品其它信息
優(yōu)勢價格,BSM180C12P2E202的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8
暫無價格
參考庫存:54404
FET,MOSFET - 單個
NCH 20V 3.5A POWER MOSFET
暫無價格
參考庫存:36977
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
暫無價格
參考庫存:36995
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 80V 25A LFPAK
暫無價格
參考庫存:19460
FET,MOSFET - 單個
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23 PACKAGE
暫無價格
參考庫存:37039
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