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FET，MOSFET - 單個
R8002ANX參考圖片

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R8002ANX

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
4.3 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
12.7nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
210pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220FM
封裝/外殼
TO-220-3 整包
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 22A TO3P
暫無價格
參考庫存:4467
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 500V 11A TO-268
暫無價格
參考庫存:7664
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 15A TO-220F-3
暫無價格
參考庫存:7571
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
暫無價格
參考庫存:34096
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247
暫無價格
參考庫存:34104
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