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FET，MOSFET - 單個
LND150N3-G參考圖片

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LND150N3-G

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
30mA（Tj）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1000 歐姆 @ 500μA，0V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
-
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
-
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
10pF @ 25V
FET 功能
耗盡模式
功率耗散（最大值）
740mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-92-3
封裝/外殼
TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）
商品其它信息
優勢價格，LND150N3-G的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH DPAK
暫無價格
參考庫存:38556
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK
暫無價格
參考庫存:38564
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:38580
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK
暫無價格
參考庫存:38596
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
暫無價格
參考庫存:38604
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