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FET,MOSFET - 單個
IMW120R030M1HXKSA1參考圖片

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IMW120R030M1HXKSA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
CoolSiC?
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss)
1.2kV
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
56A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V,18V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
40 毫歐 @ 25A,18V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
5.7V @ 10mA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
63nC @ 18V
Vgs(最大值)
+23V,-7V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
2.12nF @ 800V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
227W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO247-3-41
封裝/外殼
TO-247-3
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 170A TO264
暫無價格
參考庫存:4303
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 4A CPT3
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參考庫存:49430
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:49438
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220
暫無價格
參考庫存:8896
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
暫無價格
參考庫存:8134
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