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FET,MOSFET - 單個
IPT65R195G7XTMA1參考圖片

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IPT65R195G7XTMA1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶(CT)
系列
CoolMOS? C7
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)
14A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
195 毫歐 @ 4.8A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 240μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
20nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
996pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
97W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-HSOF-8-2
封裝/外殼
8-PowerSFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 8-PQFN
暫無價格
參考庫存:302144
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247
暫無價格
參考庫存:4907
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
暫無價格
參考庫存:5054
FET,MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 100V 28A ATPAK
暫無價格
參考庫存:17156
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1050V 1.5A DPAK
暫無價格
參考庫存:14658
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