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FET,MOSFET - 單個
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RD3L08BGNTL

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • RD3L08BGN IS A POWER MOSFET, SUI
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
80A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同Id,Vgs 時的Rds On(最大值)
5.5 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg)(最大值)
71nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
3620pF @ 30V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
119W(Tc)
工作溫度
150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252
封裝/外殼
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V MP-25ZP/TO-263
暫無價格
參考庫存:49633
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 180A TO-263-7
暫無價格
參考庫存:49657
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
暫無價格
參考庫存:49665
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
暫無價格
參考庫存:49697
FET,MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO-262
暫無價格
參考庫存:49705
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