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FET，MOSFET - 單個
SIR800DP-T1-GE3參考圖片

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SIR800DP-T1-GE3

  • Vishay Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchFET?
零件狀態(tài)
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.3 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
133nC @ 10V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
5125pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5.2W（Ta），69W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8
商品其它信息
優(yōu)勢價格，SIR800DP-T1-GE3的國內現貨當天可發(fā)貨,國外現貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
TRENCH_MOSFETS
暫無價格
參考庫存:12850
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 1000V 10A TO-267
暫無價格
參考庫存:29212
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247
暫無價格
參考庫存:42142
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
暫無價格
參考庫存:12447
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
暫無價格
參考庫存:42152
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