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FET，MOSFET - 單個
IRF6619TR1參考圖片

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IRF6619TR1

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
HEXFET?
零件狀態
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
20V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
30A（Ta），150A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
2.2 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.45V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
57nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
5040pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.8W（Ta），89W（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DIRECTFET? MX
封裝/外殼
DirectFET? 等容 MX
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH TO220
暫無價格
參考庫存:37071
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 20A 8SOIC
暫無價格
參考庫存:37079
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 38V 8SOIC
暫無價格
參考庫存:37087
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223
暫無價格
參考庫存:37095
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
暫無價格
參考庫存:37103
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