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FET，MOSFET - 單個
RQ3E100ATTB參考圖片

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RQ3E100ATTB

  • Rohm Semiconductor
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
10A（Ta），31A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
11.4mOhm @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
42nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1900pF @ 15V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-HSMT（3.2x3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 250V 14A D2PAK
暫無價格
參考庫存:4306
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET
暫無價格
參考庫存:76688
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
暫無價格
參考庫存:346690
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23
暫無價格
參考庫存:16692
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 20V 1.6A SSOT3
暫無價格
參考庫存:569754
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