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FET，MOSFET - 單個

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STL3N65M2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
MDmesh? M2
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
2.3A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
1.8 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
5nC @ 10V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
155pF @ 100V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
22W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（3.3x3.3）
封裝/外殼
8-PowerVDFN
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28206
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28214
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
暫無價格
參考庫存:28222
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 18A DIRECTFET
暫無價格
參考庫存:28230
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
暫無價格
參考庫存:28238
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