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FET，MOSFET - 單個
RSH065N06GZETB參考圖片

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RSH065N06GZETB

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 4V DRIVE NCH MOSFET. POWER MOSFE
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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
6.5A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4V，10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
37 毫歐 @ 6.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
16nC @ 5V
Vgs（最大值）
20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
900pF @ 10V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作溫度
150°C
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SOP
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2
暫無價格
參考庫存:24983
FET，MOSFET - 單個
MOSFET 3DFN
暫無價格
參考庫存:24991
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 900V 9A TO3PN
暫無價格
參考庫存:24999
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
暫無價格
參考庫存:25007
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 500V 10A TO220
暫無價格
參考庫存:25015
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