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FET，MOSFET - 單個
PSMN130-200D,118參考圖片

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PSMN130-200D,118

  • Nexperia USA Inc.
  • 最新
  • MOSFET N-CH 200V 20A DPAK
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
TrenchMOS?
零件狀態
最後搶購
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
20A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同Id，Vgs 時的Rds On（最大值）
130 毫歐 @ 25A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）（最大值）
65nC @ 10V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
2470pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
150W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
暫無價格
參考庫存:46591
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH 60V TO252
暫無價格
參考庫存:46599
FET，MOSFET - 單個
MOSFET P-CH SOT23
暫無價格
參考庫存:46607
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 45V 100A 8DFN
暫無價格
參考庫存:46615
FET，MOSFET - 單個
MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC
暫無價格
參考庫存:46623
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